觀點網訊：據長晶科技消息，公司發佈自主研發的第二代高性能SGT MOSFET（分離柵金屬-氧化物半導體場效應管）系列，電壓覆蓋30V至150V。

長晶科技表示，該系列核心參數對標國際主流供應商S5、S6、S7工藝平臺，在多個電壓段實現性能超越。

應用方面，該產品可廣泛用於服務器、機器人、汽車、電腦、手機、無人機、電動工具、儲能、電池管理、工業電源等領域。

工藝層面，據長晶科技介紹，第二代SGT MOSFET依託超小元胞尺寸（Cell Pitch）技術，攻克高深寬比刻蝕工藝難題，降低單位面積導通電阻（RSP），UIS雪崩耐量與SOA安全工作區等可靠性指標同步提升。

封裝層面，公司開發出底部倒裝、雙面散熱、合封三大技術，提升功率密度、優化散熱表現。

實測數據方面，長晶科技披露，40V MOS CJACR95SN04AL在400W的高頻電機驅動系統的溫升比其他同行低16℃；30V MOS CJAC1R6SN03AL在80A電池化成系統溫升比國內其他同行低11℃。以CJACR95SN04AL為例，小電感能力強化後，在系統發生原副邊直通、電池短路、電機堵轉等極端工況時，可提升供電系統的可靠性。