觀點網訊：10月21日，據ZDNET Korea消息，芯片廠商Groq正考慮將三維堆疊DRAM的封裝技術應用於下一代芯片，擬用DRAM替代現有的SRAM。

業內人士將此舉解讀為通過擺脫目前以SRAM為中心的芯片設計來大幅提升芯片容量。據悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相對較慢，但更適合實現大容量芯片。

3D封裝技術將多個半導體芯片垂直堆疊而非平放，從而形成一個完整的芯片，與傳統的2D封裝相比，能夠減小芯片表面積並提高能效。