觀點網訊：10月27日，英飛凌宣佈，將在歐洲建立全球首個基於300毫米晶圓的新一代氮化鎵（GaN）功率半導體大規模生產基地。

作為該項目的一部分，英飛凌計劃到2034年向奧地利菲拉赫工廠的現有潔淨室設施投入約11億歐元，旨在利用現有及升級後的基礎設施實現產能擴張。

該基地計劃2027年底投產。