觀點網訊：11月10日，三星電子計劃於2027年初完成下一代先進封裝技術3D Cube-H的開發，並推出首套設計工具包，隨後啓動潛在客戶評估。

該技術採用混合鍵合，通過銅與銅直接連接實現芯片垂直堆疊，互連間距目標約為6微米。三星現有熱壓鍵合技術的最小間距約為25微米。

相比傳統技術，混合鍵合可提高芯片連接密度、改善散熱並降低數據傳輸能耗，適用於高性能AI芯片、GPU堆疊及邏輯芯片與HBM集成。

三星希望藉此增強先進封裝競爭力，為爭取大型科技企業AI芯片代工訂單創造條件。