觀點網訊：10月19日消息，三星電子計劃採用臺積電的3納米工藝生產英偉達的下一代定製高帶寬內存（HBM）基底裸片。

據悉，英偉達希望供應商統一製造工藝以確保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生產中採用臺積電的3納米工藝。

三星將首次在HBM製造階段與臺積電展開合作。